반도체 및 태양광산업 밸류체인의 맨 앞에 위치하는 핵심기초소재 입니다. 실리콘 잉곳을 만들기 위하여 초고순도로 정제된 고체 실리콘 으로 태양전지, 반도체 소자에 사용되는 웨이퍼 뿐만 아니라 반도체 공정용 실리콘 부품을 제작하기 위한 단결정 잉곳을 만드는 데에도 사용이 되고 있습니다.
금속실리콘 (MG-Si, 99%)을 지멘스공법으로 정제하여 순도를 9N (99.9999999%) 혹은 11N 이상으로 높인 제품으로서 용도에 따라 다양한 규격의 제품을 공급하고 있습니다.
| Technical Specification | For Solar (Multi) | For Solar (Mono) | For Semi (Si Parts) | ||
| Production Method | Siemens with TCS | Siemens with TCS | Siemens with TCS | ||
| Appearance | Chunk | Chunk | Chip | ||
| Bulk Impurities | Acceptors (B, Al) |
ppba | < 0.20 | < 0.10 | < 0.05 |
| Donors (P, As, Sb) |
ppba | < 0.90 | < 0.30 | < 0.15 | |
| Carbon | ppma | < 1.00 | < 0.1 | < 0.2 | |
| Total Metals (Fe, Cu, Ni, Cr) |
ppbw | < 30 | < 2 | < 1 | |
CZ법에 의해 단결정을 성장 시 폴리실리콘을 담아 용융시키기 위한 용기로 고순도의 Sand (Quartz, SiO2)를 녹여 성형합니다. 내부의 투명층과 외부의 불투명층으로 이루어지며 고온강도와 내열마모성을 향상시키기 위하여 내부 코팅을 하기도 합니다. 고객의 사양에 따라 아래 크기 외에 여러 크기의 제품이 공급 가능합니다.
| Type | Out dia D(mm) |
Height H(mm) |
Wall thk1 W(mm) |
Wall thk2 W2(mm) |
Wall thk3 W3(mm) |
Radius1 R1(mm) |
Radius2 R2(mm) |
| 10" | 254±2 | 178±3 | 7.0±2 | 7.0±2 | 7.0±2 | 305 | 70 |
| 12" | 305±2 | 228±3 | 8.0±2 | 8.0±2 | 8.0±2 | 305 | 80 |
| 14" | 355±2 | 254±3 | 9.0±2 | 9.0±2 | 9.0±2 | 400 | 90 |
| 16" | 404±2 | 305±3 | 9.5±2 | 9.5±2 | 9.5±2 | 400 | 90 |
| 18" | 457±3 | 355±3 | 9.5±2 | 9.5±2 | 10±2 | 500 | 120 |
| 20" | 508±4 | 381±3 | 10.0±3 | 10.0±3 | 11.0±2 | 510 | 120 |
| 22" | 558±4.5 | 381±3 | 10.0±3 | 10.0±3 | 11.0±2 | 558 | 130 |
| 24" | 610±4.5 | 381±3 | 11.0±3 | 11.0±3 | 12.0±2 | 610 | 130 |
탄소섬유와 흑연의 복합체인 탄소복합재료는 높은 강도, 낮은 비중, 낮은 팽창계수, 고온저항의 특성이 있고 부식저항성, 마모저항성, 열충격저항성이 뛰어나 항공, 우주, 금속, 화학, 기계 등의 분야에서 널리 사용되고 있습니다. 다양한 형태로 가공이 가능하며 결정성장 시에 내열구조체로 새로이 관심을 받고 있습니다.
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제조사 및 제품소개자료| Technical Specification | ||
| Density | g/cm3 | 1.40 ~ 1.75 |
| Tensile Strength | MPa | 80 ~ 120 |
| Compression Strength | MPa | 160 ~ 200 |
| Carbon Content | % | ≥99 |
| Ash Content | % | ≤0.01 |
| Processing Temperature | °C | 1450 ~ 2500 |
| Applicative Temperature | °C | 1250 ~ 3600 |
실리콘 잉곳을 웨이퍼로 절단하기 위하여 사용되는 와이어로서 다이아몬드 입자를 절삭제로 부착한 제품입니다. 공정의 생산성에 큰 영향을 미치는 핵심 자재입니다.
Technical Date Sheet
| Core Dia (mm) |
Diamond Size (um) |
Diamond Count (pc/2mm) |
Total Diameter (um) |
Breaking Load (N) |
Standard Load (N) |
| 0.06 | 6~12 | 110 | 76 | 9.0 | 7.0 |
| 0.07 | 6~12 | 125 | 86 | 13.0 | 10.0 |
| 0.08 | 6~12 | 100 | 94 | 17.0 | 13.0 |
| 110 | 95 | ||||
| 130 | 97 | ||||
| 0.10 | 6~12 | 100 | 114 | 29.0 | 18.0 |
| 130 | 116 | ||||
| 8~12 | 110 | 118 | |||
| 8~16 | 100 | 120 | |||
| 120 | 122 | ||||
| 0.12 | 8~16 | 100 | 140 | 40.0 | 25.0 |
| 120 | 142 | ||||
| 10~20 | 120 | 150 | |||
| 15~25 | 60 | 155 | |||
| 0.14 | 30~40 | 50 | 200 | 52.5 | 27.0 |
| 0.16 | 30~40 | 50 | 225 | 67.0 | 35.0 |
| 0.18 | 30~40 | 50 | 245 | 84.0 | 40.0 |
태양전지, 반도체소자를 만들기 위한 웨이퍼 공정 중 대부분의 성형 공정에 광범위하게 사용되는 자재입니다. 실리콘 잉곳을 절단, 연마하거나 실리콘 웨이퍼의 표면 및 가장자리 연마, 패턴 웨이퍼의 절단, 후면연마 등 다양한 공정에 사용이 되고 있으며 실리콘 뿐만 아니라 석영, 유리, 금속 등의 가공에도 사용이 되고 있습니다.
다이아몬드휠은 가공물질과 가공목적에 따라 다양한 종류의 연마제, 입자크기, 접착방법, 입자농도가 가능하므로 필요에 따라 적합한 휠을 선택해야 합니다.
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제품소개자료 카탈로그(반도체용) 카탈로그(태양광용)
다이아몬드 와이어 절삭용 수용성 냉각제로 국내외에 풍부한 공급 실적을 가지고 있습니다.
Water Base Coolant
| Appearance | Milky White Liquid | |
| Specific Gravity (20°C) | g/ml | 1.00 ±0.05 |
| pH (20°C) | 8.5 ±1.0 | |
| Solubility (@water) | Completely Soluble | |
| Viscosity (cps 25°C) | < 100 |
절삭된 웨이퍼의 세정을 위한 제품입니다.
Cleaning Detergent
| Appearance | Clear, Colorless | |
| Specific Gravity (20°C) | g/ml | 1.00±0.05 |
| pH (20°C) | 12.0±1.0 | |
| Solubility (@water) | Completely Soluble |
절삭 시 빔으로부터 웨이퍼를 분리시키기 위해 사용되는 제품입니다.
Deglue Agent
| Appearance | Clear, Colorless | |
| Specific Gravity (20°C) | g/ml | 1.05±0.05 |
| pH (20°C) | 2.0±1.0 | |
| Solubility (@water) | Completely Soluble |
실리콘 잉곳을 절삭시에 잉곳과 플레이트 사이에 접착되어 플레이트를 보호하고 절삭 후 웨이퍼를 지지하는 역할을 하는 소재입니다. 다이아몬드와이어 절삭공정이 세선화 되어 가는 것에 대응하여 만든 제품으로 폴리우레탄 재질입니다.
Technical Specification
| Density | g/cm3 | ≥ 0.5 |
| Hardness | ≥ 65 | |
| Roughness | um | 3 ~ 8 |
| Electric Conductivity | uS/cm | ≥ 50 |
| Strech-proof MPa | MPa | 10 |
반도체용 웨이퍼를 경면연마하기 위하여 사용되는 제품입니다.
실리콘 웨이퍼의 표면연마는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 기술을 사용하며 이는 화학작용에 의한 식각현상과 연마제의 기계적인 마모현상을 이용하게 됩니다. 이때 패드는 슬러리를 머금고 화학적, 물리적 조건을 일정하게 유지시켜주는 중요한 역할을 하게 됩니다.
경면연마는 대상물질의 종류와, 연마량, 표면조건에 따라 다양하며 이에 대응하여 다양한 종류의 패드가 개발되어 있습니다. 또한 웨이퍼를 진공으로 고정시키기 위하여 패드를 사용하기도 합니다.
· Stock Removal Polishing Pad
· Final Polishing Pad
· Edge Polishing Pad
· Notch Polishing Pad
· Back Polishing Pad
· Chuck Pad
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제조사 및 제품소개자료
반도체용 실리콘웨이퍼를 운반용박스(Shipping Box)에 담은 후 이를 포장하기 위하여 사용되는 백(Bag)입니다. 운반 도중의 먼지, 습기 및 기타 이물질이 유입되는 것을 막아주는 역할을 하여 통상, 내부를 PE백으로 외부를 Al백으로 이중포장을 하게 됩니다.
Specification
| AL Bag | PE Bag | |||
| Outer Layer | Thickness | um | 40 | 40 |
| Material | Aluminized Polyester | K-PET/Nylon and LDPE | ||
| Inner Layer | Thickness | um | 80 | 100 |
| Material | Poly Ethylene (LLDPE) | Poly Ethylene (LLDPE) and PE | ||
| Total Thickness | um | 120 | 120~155 | |
| Dimension (Square) | 4 inch | mm | 330x330 | 330x330 |
| 5 inch | mm | 355x406 | 355x406 | |
| 6 inch | mm | 405x450 | 405x450 | |
| 8 inch | mm | 540x580 | 540x580 | |
| 12 inch | Mm | |||
| Dimension (M-shape) | 4 inch | mm | 330x150x135 | 330x150x135 |
| 5 inch | mm | 360x185x165 | 360x185x165 | |
| 6 inch | mm | 420x215x195 | 420x215x195 | |
| 8 inch | mm | 600x260x240 | 580x255x235 | |
| 12 inch | Mm | 885x390x355 | 875x380x345 | |
Green Silicon Carbide로서 Black Silicon Carbide 보다 고순도, 고강도, 고안정성 제품으로 와이어쏘잉용 절삭제, 석영/유리의 정밀연마제, 연삭지석 및 연마포지용 지립원료, 내화재료 첨가물, 방열재료 첨가물 등의 용도로 쓰입니다.용도에 따른 다양한 입도의 파우더가 공급 가능합니다.
고경도, 고인성을 지니는 백색분말로 연마지석 및 연마포 지립원료, 샌드블라스트용 재료, 주물주형, 내화재 등으로 사용됩니다.
백색의 지르코늄의 산화물은 일반적으로 고강도, 고경도, 고인성, 고내화학성, 고내열성을 가지며 상변화에 대하여 안정화시킨 지르코니아 파우더는 연마지석 및 연마포 지립원료, 샌드블라스트용 재료, 내화재 등으로 사용됩니다.
뛰어난 경도와 내화학성으로 유리, 세라믹 제조 시 연마제나 첨가제 등으로 사용됩니다.